Phương pháp TPS của thiết bị đo độ dẫn nhiệt

Công nghệ nguồn phẳng tạm thời (TPS) là một phương pháp đo độ dẫn nhiệt. Phương pháp này dựa trên các tiêu chuẩn ISO 22007-2-2008, ASTM D 5334/D 7984/D 5930, GB/T 32064-2015, GB/T 42919.1-2023, v.v., và đáp ứng yêu cầu kiểm tra vật liệu ở các dạng khác nhau, chẳng hạn như chất lỏng, khối rắn, dạng sệt, dạng bột, dạng màng, v.v. Nguyên lý đo các tính chất nhiệt của vật liệu là một nguồn nhiệt phẳng trong môi trường vô hạn tạo ra trường nhiệt độ động bên trong môi trường sau khi chịu tác động của một xung nhiệt tức thời ở trạng thái cân bằng nhiệt ban đầu. 

Dữ liệu nhiệt độ sinh ra từ quá trình dẫn nhiệt được sử dụng để khớp với đường cong hàm và tính toán độ dẫn nhiệt và độ khuếch tán nhiệt của mẫu. Trong quá trình thử nghiệm, một dòng điện một chiều không đổi được cấp vào nguồn nhiệt, và bề mặt của nguồn nhiệt sinh ra sự tăng nhiệt độ, điện trở tăng lên, và hệ thống thử nghiệm cầu bị mất cân bằng tạo ra sự thay đổi điện thế. Thông qua sự thay đổi các thông số điện, hàm biểu diễn sự tăng nhiệt độ theo thời gian được thu được.